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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK7P65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.129139 +6000：￥3.976222 +10000：￥3.874241	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TK7P65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥10.100966 +6000：￥9.726892 +10000：￥9.477417	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
TK7P65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.124155 +10：￥19.830301 +100：￥15.937535 +500：￥13.0937 +1000：￥10.849116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
TK7P65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.124155 +10：￥19.830301 +100：￥15.937535 +500：￥13.0937 +1000：￥10.849116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK7P65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥22.862833 +10：￥20.478365 +100：￥16.410744 +500：￥13.535358 +1000：￥11.221022	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK7P65W,RQ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥12.19328 +10：￥11.630417 +25：￥11.316319 +100：￥10.439357 +500：￥9.420424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK7P65W,RQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSIV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	800 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	490 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	60W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）