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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK7P60W5,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.174049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 670 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TK7P60W5,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥10.210827	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 670 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
TK7P60W5,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.084818 +10：￥21.520493 +100：￥16.774368 +500：￥13.857553 +1000：￥10.940175	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
TK7P60W5,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+34：￥5.686337 +50：￥5.458797 +100：￥5.231258 +300：￥5.00405 +500：￥4.776509	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK7P60W5,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7A DPAK 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 670 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK7P60W5,RVQ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥22.910381 +10：￥20.271819 +25：￥20.069072 +50：￥19.867753 +100：￥15.590082	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK7P60W5,RVQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSIV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	670 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	490 pF 300 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	60W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）