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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK55S10N1,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.851089 +10：￥8.654398 +30：￥8.534198 +100：￥8.403071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3280 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 157W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK+ 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK55S10N1,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥9.342112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3280 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 157W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK+ 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TK55S10N1,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥16.143139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3280 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 157W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK+ 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）
TK55S10N1,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.967537 +10：￥31.371936 +100：￥25.216166 +500：￥20.717093 +1000：￥17.165478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK+
TK55S10N1,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.624508 +10：￥30.818054 +30：￥27.361824 +100：￥26.872192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK+

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK55S10N1,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3280 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 157W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK+ 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK55S10N1,LQ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥16.179037 +4000：￥15.259659 +10000：￥15.1567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK55S10N1,LQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	55A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 毫欧 27.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	49 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3280 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	157W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK+
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	175°C（TJ）