品牌： Trinamic Motion Control GmbH

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A，7.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26.5 毫欧 7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050pF 15V

功率 - 最大值： 3.57W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： PQFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Trinamic Motion Control GmbH

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A，7.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26.5 毫欧 7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050pF 15V

功率 - 最大值： 3.57W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： PQFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： N and P-Channel

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 3.57W

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.8A, 7.3A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1050pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 26.5mOhm @ 7A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11.2nC @ 4.5V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： PQFN (5x6)