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TT8K1TR_未分类
TT8K1TR
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MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8

未分类

+3000:

¥0.881558

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,1.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 72 毫欧 2.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 8-TSST

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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TT8K1TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8

射频晶体管

+3000:

¥1.294505

+6000:

¥1.226404

+9000:

¥1.135524

+30000:

¥1.124311

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,1.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 72 毫欧 2.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 8-TSST

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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TT8K1TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8

射频晶体管

+3000:

¥3.166701

+6000:

¥3.000107

+9000:

¥2.777793

+30000:

¥2.750361

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,1.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 72 毫欧 2.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 8-TSST

温度: 150°C(TJ)

TT8K1TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-TSST

TT8K1TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-TSST

Mouser
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TT8K1TR
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MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8

未分类

+1:

¥9.799716

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¥9.669054

+100:

¥8.574752

+500:

¥7.170126

+1000:

¥6.108491

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,1.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 72 毫欧 2.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 8-TSST

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TT8K1TR_未分类
TT8K1TR
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R

未分类

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¥1.923191

+200:

¥1.910616

+500:

¥1.825486

+1000:

¥1.801298

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
TT8K1TR_未分类
TT8K1TR
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Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R

未分类

+216:

¥3.66451

+250:

¥3.518433

+500:

¥3.389769

+1000:

¥3.280453

+2500:

¥3.183712

库存: 0

货期:7~10 天

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TT8K1TR_未分类
TT8K1TR
授权代理品牌
+50:

¥1.544762

+100:

¥1.525573

+200:

¥1.515978

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¥1.448814

+1000:

¥1.429626

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

TT8K1TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 72 毫欧 2.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260pF 10V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 8-TSST
温度: 150°C(TJ)