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TPDV640RG参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | STMicroelectronics |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| 双向可控硅类型: | 可控硅 - 无缓冲器 |
| 电压 - 断态: | 600 V |
| 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: | 40 A |
| 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: | 1.5 V |
| 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): | 350A，370A |
| 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: | 200 mA |
| 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: | 50 mA |
| 配置: | 单路 |
| 工作温度: | -40°C # 125°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TOP-3 |
| 供应商器件封装: | TOP3 |
| 温度: | -40°C # 125°C（TJ） |