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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TPC8207(TE12L)_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: Digi-Reel®

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20mOhm 4.8A, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2010pF 10V

功率 - 最大值: 750mW

工作温度: -

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP (5.5x6.0)

温度: -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TPC8207(TE12L)_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: Digi-Reel®

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20mOhm 4.8A, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2010pF 10V

功率 - 最大值: 750mW

工作温度: -

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP (5.5x6.0)

温度: -

TPC8207(TE12L)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel®
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20mOhm 4.8A, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2010pF 10V
功率 - 最大值: 750mW
工作温度: -
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.173#, 4.40mm Width)
供应商器件封装: 8-SOP (5.5x6.0)
温度: -