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TSM3911DCX6 RFG_射频晶体管

MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26

射频晶体管

+3000:

¥1.431659

+6000:

¥1.288493

+15000:

¥1.193049

+30000:

¥1.173937

+75000:

¥1.145327

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 140 毫欧 2.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15.23nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 882.51pF 6V

功率 - 最大值: 1.15W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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TSM3911DCX6 RFG_射频晶体管

MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26

射频晶体管

+3000:

¥3.502217

+6000:

¥3.151994

+15000:

¥2.918514

+30000:

¥2.871762

+75000:

¥2.801774

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 140 毫欧 2.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15.23nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 882.51pF 6V

功率 - 最大值: 1.15W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TSM3911DCX6 RFG_射频晶体管

MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26

射频晶体管

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¥8.783877

+10:

¥7.707143

+25:

¥7.236781

+100:

¥5.253325

+250:

¥5.066313

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

TSM3911DCX6 RFG_射频晶体管

MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

Mouser
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TSM3911DCX6 RFG_晶体管
TSM3911DCX6 RFG

MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 140 毫欧 2.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15.23nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 882.51pF 6V

功率 - 最大值: 1.15W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TSM3911DCX6 RFG参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 140 毫欧 2.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15.23nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 882.51pF 6V
功率 - 最大值: 1.15W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6
供应商器件封装: SOT-26
温度: -55°C # 150°C(TJ)