TSM240N03CX6 RFG厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.086489 +200：￥2.425854 +500：￥2.349363 +1000：￥2.305654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 345 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.910565 +6000：￥0.840396 +9000：￥0.804374 +15000：￥0.763724 +21000：￥0.748902	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 345 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.227481 +6000：￥2.055832 +9000：￥1.967712 +15000：￥1.868269 +21000：￥1.832012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 345 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.95529 +10：￥5.323925 +100：￥3.612009 +500：￥2.825047 +1000：￥2.564052	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26
TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.95529 +10：￥5.323925 +100：￥3.612009 +500：￥2.825047 +1000：￥2.564052	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 下载数据手册未分类	+1：￥12.343125 +10：￥11.066733 +100：￥8.640187 +500：￥7.139376 +1000：￥5.638563	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 345 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

TSM240N03CX6 RFG参数规格

属性	参数值
品牌:	Taiwan Semiconductor Corporation
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.1 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	345 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.56W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-26
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	150°C（TJ）