搜索 TSM110NB04LDCR RLG 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
+2500： ￥7.032065 +5000： ￥6.697164 +12500： ￥6.388124 | |||||
+1： ￥17.002229 +10： ￥13.916111 +100： ￥10.818563 +500： ￥9.170059 +1000： ￥7.469981 | 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PDFN (5x6) | ||||
+1： ￥17.002229 +10： ￥13.916111 +100： ￥10.818563 +500： ￥9.170059 +1000： ￥7.469981 | 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PDFN (5x6) |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
TSM110NB04LDCR RLG | +1： ￥19.272775 +10： ￥15.87554 +100： ￥12.363975 +500： ￥10.469364 +1000： ￥8.525753 |
TSM110NB04LDCR RLG参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta），48A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11 毫欧 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 23nC 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1269pF 20V |
| 功率 - 最大值: | 2W（Ta），48W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PDFN（5x6） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |