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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TSM250NB06LDCR RLG_射频晶体管

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

射频晶体管

+2500:

¥17.8341

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta),29A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1314pF 30V

功率 - 最大值: 2W(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PDFN(5x6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TSM250NB06LDCR RLG_射频晶体管

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PDFN (5x6)

TSM250NB06LDCR RLG_射频晶体管

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PDFN (5x6)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TSM250NB06LDCR RLG_未分类
TSM250NB06LDCR RLG

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

未分类

+1:

¥36.468321

+10:

¥32.681227

+100:

¥26.369401

+500:

¥21.600467

+1000:

¥17.953635

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta),29A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1314pF 30V

功率 - 最大值: 2W(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PDFN(5x6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TSM250NB06LDCR RLG参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta),29A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1314pF 30V
功率 - 最大值: 2W(Ta),48W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-PDFN(5x6)
温度: -55°C # 150°C(TJ)