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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TC2320TG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥7.703725 +10：￥6.567289 +30：￥5.944435 +100：￥5.234162 +500：￥4.88449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110pF 25V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TC2320TG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+3300：￥8.531423	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110pF 25V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TC2320TG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+3300：￥20.870123	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110pF 25V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	TC2320TG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥27.400723 +25：￥22.99957 +100：￥20.869981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	TC2320TG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥27.400723 +25：￥22.99957 +100：￥20.869981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TC2320TG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥31.323003 +25：￥26.291847 +100：￥23.857417 +3300：￥23.857417	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110pF 25V 功率 - 最大值： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TC2320TG-G 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R 下载数据手册未分类	+3300：￥20.388882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TC2320TG-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R 下载数据手册未分类	+123：￥27.217292	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	TC2320TG-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R 下载数据手册未分类	+4：￥25.471972 +10：￥25.287879 +25：￥24.845482 +100：￥24.401659 +250：￥23.944995	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TC2320TG-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R 下载数据手册未分类	+250：￥17.312971 +500：￥17.192742 +1000：￥17.072514 +3300：￥16.952284 +6600：￥16.832055	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TC2320TG-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 欧姆 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	110pF 25V
功率 - 最大值:	-
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）