品牌： Transphorm

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 10A，8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 480 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 81W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 3-PQFN（8x8）

封装/外壳： 3-PowerDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）