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TSM6866SDCA RVG_未分类
TSM6866SDCA RVG
授权代理品牌

TSM6866SDCA RVG VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥1.177999

+50:

¥1.148596

+200:

¥1.079833

+4000:

¥1.060154

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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TSM6866SDCA RVG_射频晶体管

MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP

射频晶体管

+300000:

¥2.041542

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 600mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 565pF 8V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)

供应商器件封装: 8-TSSOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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TSM6866SDCA RVG_射频晶体管

MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP

射频晶体管

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¥3.527777

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 600mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 565pF 8V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)

供应商器件封装: 8-TSSOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TSM6866SDCA RVG_射频晶体管

MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装: 8-TSSOP

TSM6866SDCA RVG_射频晶体管

MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装: 8-TSSOP

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TSM6866SDCA RVG_晶体管
TSM6866SDCA RVG

MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 600mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 565pF 8V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)

供应商器件封装: 8-TSSOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TSM6866SDCA RVG参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 600mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 565pF 8V
功率 - 最大值: 1.6W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
供应商器件封装: 8-TSSOP
温度: -55°C # 150°C(TJ)