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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM2537CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥4.467177 +6000：￥4.351118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.6A（Tc），9A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.4A，4.5V，55 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V，9.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 677pF 10V，744pF 10V 功率 - 最大值： 6.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-TDFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM2537CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥7.719266 +6000：￥7.518718	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.6A（Tc），9A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.4A，4.5V，55 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V，9.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 677pF 10V，744pF 10V 功率 - 最大值： 6.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-TDFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	TSM2537CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥18.231616 +10：￥16.2626 +100：￥12.681912 +500：￥10.47613 +1000：￥8.270591	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-TDFN (2x2)
	TSM2537CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥18.231616 +10：￥16.2626 +100：￥12.681912 +500：￥10.47613 +1000：￥8.270591	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-TDFN (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM2537CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN 下载数据手册未分类	+1：￥20.523983 +10：￥18.320065 +100：￥14.325464 +500：￥11.873606 +1000：￥9.380424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.6A（Tc），9A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.4A，4.5V，55 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 4.5V，9.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 677pF 10V，744pF 10V 功率 - 最大值： 6.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-TDFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

TSM2537CQ RFG参数规格

属性	参数值
品牌:	Taiwan Semiconductor Corporation
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.6A（Tc），9A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 6.4A，4.5V，55 毫欧 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.1nC 4.5V，9.8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	677pF 10V，744pF 10V
功率 - 最大值:	6.25W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	6-TDFN（2x2）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）