TP0610K-T1-GE3厂家价格_数据手册

搜索 TP0610K-T1-GE3 共 20 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.907678 +100：￥0.820404 +500：￥0.762214 +1000：￥0.704034 +5000：￥0.634214	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) TP0610K-T1-GE3 SOT-23 下载数据手册未分类	+20：￥2.363856 +100：￥1.598531 +800：￥1.172974 +3000：￥0.849904 +6000：￥0.807433	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.518923 +50：￥0.415139 +150：￥0.363247 +500：￥0.324327 +3000：￥0.293193	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.320166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.809017 +6000：￥0.775421 +9000：￥0.697916 +30000：￥0.687541 +75000：￥0.646226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.979068 +6000：￥1.896884 +9000：￥1.707288 +30000：￥1.681907 +75000：￥1.58084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.274277 +10：￥5.695603 +100：￥3.414267 +500：￥3.161678 +1000：￥2.149936	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)
TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.274277 +10：￥5.695603 +100：￥3.414267 +500：￥3.161678 +1000：￥2.149936	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP0610K-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.820117 +10：￥5.263731 +100：￥3.549958 +500：￥3.305133 +1000：￥2.378297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

TP0610K-T1-GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	185mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.7 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）