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	TP89R103NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 15A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.753765	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 820 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TP89R103NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 15A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.290173	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 820 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）
TP89R103NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 15A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
TP89R103NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 15A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
TP89R103NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 15A 8SOP 下载数据手册未分类	+2500：￥4.110358 +5000：￥3.826952 +12500：￥3.68511 +25000：￥3.590688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9.1mOhm @ 7.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.3V @ 100µA Supplier Device Package： 8-SOP Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 820 pF @ 15 V
TP89R103NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 15A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥9.232357	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9.1mOhm @ 7.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.3V @ 100µA Supplier Device Package： 8-SOP Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 820 pF @ 15 V
TP89R103NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 15A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥9.232357	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9.1mOhm @ 7.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.3V @ 100µA Supplier Device Package： 8-SOP Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 820 pF @ 15 V

Mouser

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	TP89R103NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 15A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥12.153002 +10：￥10.697842 +100：￥8.203279 +500：￥6.492262 +1000：￥5.197008	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 820 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP89R103NL,LQ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin SOP T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥3.151961 +10000：￥2.979145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TP89R103NL,LQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.1 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	820 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	150°C（TJ）