品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），20W（Tc）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： 150°C（TJ）