TPWR8004PL,L1Q厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPWR8004PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.334721 +200：￥10.512034 +500：￥10.162361 +1000：￥9.987525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9600 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DSOP Advance 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： 175°C（TJ）

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	TPWR8004PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9600 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DSOP Advance 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： 175°C（TJ）

自营国内现货

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	TPWR8004PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥8.438454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9600 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DSOP Advance 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPWR8004PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥20.642694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9600 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DSOP Advance 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： 175°C（TJ）
TPWR8004PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.741926 +10：￥39.23466 +100：￥27.564863 +500：￥22.56759 +1000：￥20.95982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DSOP Advance
TPWR8004PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.741926 +10：￥39.23466 +100：￥27.564863 +500：￥22.56759 +1000：￥20.95982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DSOP Advance

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPWR8004PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP 下载数据手册未分类	+1：￥45.817182 +10：￥38.822193 +25：￥37.772943 +100：￥31.652329 +500：￥29.378956	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9600 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DSOP Advance 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPWR8004PL,L1Q 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance 下载数据手册未分类	+5000：￥16.081812	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	TPWR8004PL,L1Q Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance 下载数据手册未分类	+1：￥26.991955 +10：￥24.794228 +25：￥24.323174 +100：￥21.988188 +250：￥18.160494	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPWR8004PL,L1Q TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥18.645517 +10：￥15.765381 +25：￥15.465862 +100：￥13.981163 +250：￥12.69482	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPWR8004PL,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.8 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	103 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9600 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta），170W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DSOP Advance
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	175°C（TJ）