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	TPC8134,LQ(S Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.542623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPC8134,LQ(S Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.773666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）
TPC8134,LQ(S Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP 下载数据手册未分类	+2500：￥3.671339 +5000：￥3.478029 +12500：￥3.286145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 52mOhm @ 2.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 100µA Supplier Device Package： 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 890 pF @ 10 V
TPC8134,LQ(S Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥9.71556 +10：￥8.372528 +100：￥5.796476 +500：￥4.843494 +1000：￥4.122113	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 52mOhm @ 2.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 100µA Supplier Device Package： 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 890 pF @ 10 V
TPC8134,LQ(S Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥9.71556 +10：￥8.372528 +100：￥5.796476 +500：￥4.843494 +1000：￥4.122113	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 52mOhm @ 2.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 100µA Supplier Device Package： 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 890 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPC8134,LQ(S Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP 下载数据手册晶体管	+1：￥11.106344 +10：￥9.571056 +100：￥6.631141 +500：￥5.53684 +1000：￥4.720197	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPC8134,LQ(S 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 40V 5A 8-Pin SOP T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥3.246802 +10000：￥3.05405 +25000：￥2.984089 +50000：￥2.922694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPC8134,LQ(S TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥3.90213 +50：￥1.903478 +100：￥1.741682 +200：￥1.732165	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPC8134,LQ(S参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVI
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+20V，-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	890 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	150°C（TJ）