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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN0104N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA 下载数据手册未分类	+1：￥5.704035 +10：￥4.742435 +30：￥4.261635 +100：￥3.791763 +500：￥3.507654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN0104N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥6.366224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TN0104N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥15.573471	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
TN0104N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.431251 +25：￥16.716478 +100：￥15.573471	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)
TN0104N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.431251 +25：￥16.716478 +100：￥15.573471	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN0104N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA 下载数据手册未分类	+1：￥20.90606 +25：￥17.639489 +100：￥16.659517 +250：￥16.496188 +500：￥16.071536	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN0104N8-G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥10.619925	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN0104N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+500：￥17.874478 +2000：￥17.779897 +4000：￥17.705687 +6000：￥17.609649 +8000：￥17.515068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	TN0104N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+10：￥15.614705 +25：￥13.91951 +100：￥13.239977 +250：￥13.142485 +500：￥13.001341	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN0104N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 40V, 0.63A, TO-243AA 下载数据手册未分类	+1：￥12.895577 +25：￥10.550932 +100：￥9.830436	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TN0104N8-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	630mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.6V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	70 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）