TK10A80W,S4X厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK10A80W,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.08842	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C

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	TK10A80W,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C

自营国内现货

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	TK10A80W,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥14.620058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C

Digi-Key

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	TK10A80W,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥35.764538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C

Mouser

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	TK10A80W,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管	+1：￥44.514408 +10：￥37.502979 +50：￥36.198529 +100：￥30.980722 +250：￥28.86099	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK10A80W,S4X Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube 下载数据手册未分类	+50：￥21.760012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	TK10A80W,S4X 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube 下载数据手册未分类	+1：￥33.003436 +10：￥31.115893 +50：￥29.916546 +100：￥27.158049 +250：￥26.912469	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK10A80W,S4X参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSIV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 450µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1150 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	40W（Tc）
工作温度:	150°C
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220SIS
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C