TPN2R703NL,L1Q厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R703NL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7mOhm 22.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW (Ta), 42W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.1x3.1) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R703NL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥3.441959 +10000：￥3.312594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7mOhm 22.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW (Ta), 42W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.1x3.1) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPN2R703NL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥5.947693 +10000：￥5.724151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7mOhm 22.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW (Ta), 42W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.1x3.1) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C (TJ)
TPN2R703NL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.71667 +10：￥13.194258 +100：￥10.285177 +500：￥8.496848 +1000：￥6.708012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)
TPN2R703NL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.71667 +10：￥13.194258 +100：￥10.285177 +500：￥8.496848 +1000：￥6.708012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R703NL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管	+1：￥18.711044 +10：￥16.775418 +100：￥13.081602 +500：￥10.807242 +1000：￥7.968325	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7mOhm 22.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW (Ta), 42W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.1x3.1) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R703NL,L1Q 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥6.235691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPN2R703NL,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	45A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.7mOhm 22.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2100 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW (Ta), 42W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	8-TSON Advance (3.1x3.1)
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C (TJ)