TPN2R203NC,L1Q厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R203NC,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥52.265103 +300：￥35.344705 +1000：￥25.944578 +5000：￥18.800375 +10000：￥17.860326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），42W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R203NC,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.58625 +10：￥1.16775 +30：￥1.08675 +100：￥1.0125 +500：￥0.97875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），42W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPN2R203NC,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.880388 +10：￥2.856626 +30：￥2.658479 +100：￥2.476844 +500：￥2.394281	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），42W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
TPN2R203NC,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.875921 +10：￥13.246654 +25：￥12.575112 +100：￥9.431333 +250：￥9.341512	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)
TPN2R203NC,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R203NC,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2230 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），42W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

TPN2R203NC,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 毫欧 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2230 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta），42W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）