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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2640LG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥14.194524 +200：￥5.496417 +500：￥5.299726 +1000：￥5.212308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TN2640LG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3300：￥23.617196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
TN2640LG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC 下载数据手册未分类	+3300：￥26.289162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 260mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5Ohm @ 500mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 2mA Supplier Device Package： 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 225 pF @ 25 V
TN2640LG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥34.575963 +25：￥29.003803 +100：￥26.289162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 260mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5Ohm @ 500mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 2mA Supplier Device Package： 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 225 pF @ 25 V
TN2640LG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥34.575963 +25：￥29.003803 +100：￥26.289162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 260mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5Ohm @ 500mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 2mA Supplier Device Package： 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 225 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2640LG-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥39.52552 +25：￥33.155705 +100：￥30.052461 +3300：￥30.052461	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2640LG-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 8-Pin SOIC N T/R 下载数据手册未分类	+250：￥22.887306 +500：￥22.508979 +1000：￥21.563161 +3500：￥20.806508 +6750：￥20.618801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2640LG-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 8-Pin SOIC N T/R 下载数据手册未分类	+250：￥14.693417 +500：￥14.45055 +1000：￥13.843385 +3300：￥13.357651 +6600：￥13.236219	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TN2640LG-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	225 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）