TK290A60Y,S4X厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK290A60Y,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.582597 +200：￥5.419926 +500：￥5.24509 +1000：￥5.146744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK290A60Y,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.7077	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

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	TK290A60Y,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	TK290A60Y,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥20.454645 +100：￥16.829889 +250：￥16.397765 +500：￥14.240247 +1250：￥12.082574	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK290A60Y,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管	+1：￥28.854331 +10：￥12.451081 +100：￥12.433595 +10000：￥12.276207	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK290A60Y,S4X Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube 下载数据手册未分类	+52：￥8.257465	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK290A60Y,S4X TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube 下载数据手册未分类	+52：￥5.344257	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK290A60Y,S4X TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+52：￥6.21763	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK290A60Y,S4X参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	290 毫欧 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 450µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	730 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	35W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220SIS
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）