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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2504N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3 下载数据手册	+1：￥7.840051 +200：￥3.034174 +500：￥2.928084 +1000：￥2.875039	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 890mA (Tj) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1Ohm 1.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 125 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89) 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2504N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+25：￥12.982901 +100：￥11.812388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 890mA (Tj) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1Ohm 1.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 125 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89) 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2504N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.687774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 890mA (Tj) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1Ohm 1.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 125 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89) 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TN2504N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥13.913801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 890mA (Tj) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1Ohm 1.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 125 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89) 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)
TN2504N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.286534 +25：￥15.238778 +100：￥13.913668	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)
TN2504N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.286534 +25：￥15.238778 +100：￥13.913668	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2504N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3 下载数据手册晶体管	+1：￥22.547114 +25：￥18.789261 +100：￥17.155413 +2000：￥17.155413	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 890mA (Tj) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1Ohm 1.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 125 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89) 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

TN2504N8-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	890mA (Tj)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1Ohm 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.6V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	125 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	TO-243AA (SOT-89)
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C (TJ)