TK6P60W,RVQ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK6P60W,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.404604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 820 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 310µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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	TK6P60W,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 820 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 310µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	TK6P60W,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.125476	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 820 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 310µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TK6P60W,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥12.538273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 820 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 310µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
TK6P60W,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
TK6P60W,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK6P60W,RVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK 下载数据手册晶体管	+1：￥19.280802 +10：￥18.470683 +100：￥17.012472 +500：￥15.829701 +1000：￥14.987178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 820 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 310µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK6P60W,RVQ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.508817 +10：￥20.304643 +25：￥18.834019 +100：￥17.419076 +250：￥17.283435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	TK6P60W,RVQ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥12.208471 +4000：￥12.102771 +8000：￥11.982785 +12000：￥11.8628 +20000：￥11.79138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK6P60W,RVQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSIV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	820 毫欧 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 310µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	390 pF 300 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	60W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）