TK12A60D(STA4,Q,M)厂家价格_数据手册

搜索 TK12A60D(STA4,Q,M) 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.014998 +200：￥3.496726 +500：￥3.376526 +1000：￥3.310963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.034741	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.008598 +50：￥13.654807 +100：￥11.235027 +500：￥9.506696 +1000：￥8.066284	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.607538 +50：￥33.403274 +100：￥27.483852 +500：￥23.255898 +1000：￥19.732267	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS 下载数据手册晶体管	+1：￥47.563456 +10：￥41.025523 +100：￥31.055177 +250：￥29.584142 +500：￥26.151728	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS 下载数据手册未分类	+50：￥30.382377 +100：￥25.803867 +250：￥25.630593 +500：￥23.17665 +1000：￥20.309032	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK12A60D(STA4,Q,M) TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 12A, SC-67 下载数据手册未分类	+1：￥27.950175 +10：￥24.116643 +100：￥17.398343 +500：￥15.385418 +1000：￥12.5904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK12A60D(STA4,Q,M) TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 12A, SC-67 下载数据手册未分类	+1：￥31.035468 +10：￥27.947543 +100：￥20.666286 +500：￥17.470222 +1000：￥13.973769	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK12A60D(STA4,Q,M)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	π-MOSVII
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	45W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220SIS
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）