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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TK380A60Y,S4X_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥11.844063

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¥9.350577

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: DTMOSV

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 4.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 360µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 590 pF 300 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 30W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220SIS

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TK380A60Y,S4X_未分类
TK380A60Y,S4X
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

未分类

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: DTMOSV

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 4.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 360µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 590 pF 300 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 30W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220SIS

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: 150°C(TJ)

TK380A60Y,S4X参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: DTMOSV
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 4.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 360µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 590 pF 300 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 30W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220SIS
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: 150°C(TJ)