TPH4R50ANH,L1Q厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH4R50ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥7.308017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥19.142419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.694369 +10：￥32.769677 +100：￥23.875051 +500：￥20.447545 +1000：￥19.489392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.694369 +10：￥32.769677 +100：￥23.875051 +500：￥20.447545 +1000：￥19.489392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH4R50ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV 下载数据手册未分类	+1：￥44.712268 +10：￥40.225015 +100：￥32.8531 +500：￥28.04533 +1000：￥22.436263	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH4R50ANH,L1Q 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 93A 8-Pin SOP Advance T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥16.261161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPH4R50ANH,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	58 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5200 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta），78W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）