搜索 TJ15S06M3L(T6L1,NQ 共 3 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +2000： ￥7.681697 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| TJ15S06M3L(T6L1,NQ 授权代理品牌 | +1： ￥18.654949 +10： ￥16.691271 +100： ￥13.044438 +500： ￥10.772181 +1000： ￥8.51395 |
艾睿
TJ15S06M3L(T6L1,NQ参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | U-MOSVI |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 50 毫欧 7.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 36 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | +10V，-20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1770 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 41W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK+ |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | 175°C（TJ） |