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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK650A60F,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.41312 +10：￥6.631268 +25：￥6.291886 +100：￥4.718915 +250：￥4.673972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSIX 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.16mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1320 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK650A60F,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.134456 +10：￥16.221837 +25：￥15.391619 +100：￥11.543714 +250：￥11.433775	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSIX 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.16mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1320 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C

Mouser

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	TK650A60F,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSIX 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.16mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1320 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C

TK650A60F,S4X参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	650 毫欧 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1.16mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1320 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	45W（Tc）
工作温度:	150°C
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220SIS
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C