TP2104N3-G-P003厂家价格_数据手册

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	TP2104N3-G-P003 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 175mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TP2104N3-G-P003 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥7.083772	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 175mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
TP2104N3-G-P003 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3 下载数据手册未分类	+2000：￥10.403072	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6Ohm @ 500mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 1mA Supplier Device Package： TO-92-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 60 pF @ 25 V
TP2104N3-G-P003 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥13.615785 +25：￥11.473977 +100：￥10.403072	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6Ohm @ 500mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 1mA Supplier Device Package： TO-92-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 60 pF @ 25 V
TP2104N3-G-P003 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥11.464949 +25：￥9.690612 +100：￥8.735199	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6Ohm @ 500mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 1mA Supplier Device Package： TO-92-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 60 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP2104N3-G-P003 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥14.728134 +25：￥12.411348 +100：￥11.252956 +2000：￥11.252956	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 175mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

TP2104N3-G-P003参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	175mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	740mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92-3
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）