TSM70N600CP ROG厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 下载数据手册未分类	+10：￥44.855644	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 743 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥40.278901	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 743 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥71.214858 +10：￥63.9122 +100：￥52.363129 +500：￥44.575207 +1000：￥37.593641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)
TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 下载数据手册未分类	+5000：￥38.19939	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 743 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	TSM70N600CP ROG 授权代理品牌	TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 700V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+1：￥30.191257 +10：￥29.739872 +25：￥29.288485 +50：￥28.8371 +100：￥28.385713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TSM70N600CP ROG参数规格

属性	参数值
品牌:	Taiwan Semiconductor Corporation
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	743 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252，（D-Pak）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）