TPC6113(TE85L,F,M)厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 5A VS6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.099661	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VS-6（2.9x2.8）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 5A VS6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.690063	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VS-6（2.9x2.8）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Mouser

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	TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 5A VS6 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VS-6（2.9x2.8）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

TPC6113(TE85L,F,M)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVI
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	690 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	VS-6（2.9x2.8）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）