TJ50S06M3L(T6L1,NQ厂家价格_数据手册

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥12.063367	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： +10V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6290 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 90W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK+ 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥12.122086 +6000：￥11.67322 +10000：￥11.373841	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 13.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA Supplier Device Package： DPAK+ Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6290 pF @ 10 V
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥26.459991 +10：￥23.800352 +100：￥19.126209 +500：￥15.713962 +1000：￥13.02009	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 13.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA Supplier Device Package： DPAK+ Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6290 pF @ 10 V
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥26.459991 +10：￥23.800352 +100：￥19.126209 +500：￥15.713962 +1000：￥13.02009	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 13.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA Supplier Device Package： DPAK+ Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6290 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥27.210979 +10：￥24.405723 +100：￥19.636789 +500：￥16.130219 +1000：￥13.395095	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： +10V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6290 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 90W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK+ 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TJ50S06M3L(T6L1,NQ 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥9.45309	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TJ50S06M3L(T6L1,NQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVI
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.8 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	124 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6290 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	90W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK+
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	175°C（TJ）