TPH14006NH,L1Q厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	TPH14006NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.463325 +200：￥2.983145 +500：￥2.884799 +1000：￥2.830163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），32W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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	TPH14006NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥4.897101 +10000：￥4.772656 +15000：￥4.731097	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），32W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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	TPH14006NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），32W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	TPH14006NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥2.556971 +10000：￥2.460872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），32W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPH14006NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥6.350005 +10000：￥6.310688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），32W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
TPH14006NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.936776 +10：￥15.80349 +100：￥10.575947 +500：￥8.334696 +1000：￥7.613214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPH14006NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.936776 +10：￥15.80349 +100：￥10.575947 +500：￥8.334696 +1000：￥7.613214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH14006NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV 下载数据手册未分类	+1：￥24.045195 +10：￥15.687417 +100：￥10.745716 +500：￥8.58994 +1000：￥7.279891	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），32W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH14006NH,L1Q Toshiba 授权代理品牌	MOSFETs Silicon N-channel MOS 下载数据手册未分类	+5000：￥8.921374 +10000：￥8.831603 +15000：￥8.743379 +20000：￥8.655157 +25000：￥8.570029	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPH14006NH,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1300 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta），32W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）