TK31N60X,S1F厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK31N60X,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥80.471625 +10：￥72.32529 +100：￥59.259985 +500：￥50.446359 +1000：￥42.545122	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 9.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK31N60X,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 9.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK31N60X,S1F 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+30：￥54.513137 +100：￥43.205015 +250：￥41.477388 +500：￥39.778314 +1000：￥35.494933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	TK31N60X,S1F 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+30：￥71.53243 +100：￥50.015588 +250：￥47.165714 +500：￥44.458618 +1000：￥38.139206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK31N60X,S1F参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSIV-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	88 毫欧 9.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3000 pF 300 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	230W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	150°C（TJ）