TK100A06N1,S4X厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK100A06N1,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.380087 +10：￥13.808399 +100：￥11.0978 +500：￥9.117809 +1000：￥7.55471	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK100A06N1,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.623768 +10：￥33.779003 +100：￥27.148158 +500：￥22.304578 +1000：￥18.480822	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK100A06N1,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 下载数据手册晶体管	+1：￥45.466801 +10：￥40.75774 +100：￥32.80105 +500：￥26.955319 +1000：￥20.297678	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK100A06N1,S4X 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine 下载数据手册未分类	+50：￥21.947654 +100：￥17.985607 +500：￥16.490236 +1000：￥14.813774 +2500：￥14.553113	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK100A06N1,S4X参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.7 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10500 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	45W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220SIS
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）