TK5A60W,S4VX厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 TK5A60W,S4VX 共 4 条相关记录

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK5A60W,S4VX Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.799212 +10：￥11.47875 +100：￥9.227015 +500：￥7.581072 +1000：￥6.281459	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK5A60W,S4VX Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.310262 +10：￥28.080063 +100：￥22.571724 +500：￥18.545311 +1000：￥15.366115	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK5A60W,S4VX Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS 下载数据手册未分类	+1：￥29.595445 +10：￥26.509664 +100：￥21.319942 +500：￥17.392584 +1000：￥14.447066	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 300 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK5A60W,S4VX 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine 下载数据手册未分类	+50：￥18.671251 +100：￥17.621823 +500：￥14.159423 +1000：￥12.585995 +2500：￥12.299008	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK5A60W,S4VX参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSIV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	900 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	380 pF 300 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220SIS
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）