TPW4R008NH,L1Q厂家价格_数据手册

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	TPW4R008NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥3.06828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5300 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta），142W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DSOP Advance 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPW4R008NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥7.505826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5300 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta），142W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DSOP Advance 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： 150°C（TJ）
TPW4R008NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥7.505826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DSOP Advance
TPW4R008NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥7.505826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DSOP Advance

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	TPW4R008NH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5300 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta），142W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DSOP Advance 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： 150°C（TJ）

TPW4R008NH,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	116A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5300 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	800mW（Ta），142W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DSOP Advance
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	150°C（TJ）