TPH3R70APL,L1Q厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH3R70APL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.599142 +200：￥5.026544 +500：￥4.862635 +1000：￥4.775217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7mOhm 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6300 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH3R70APL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥3.998915 +10000：￥3.896379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7mOhm 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6300 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPH3R70APL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥9.782407 +10000：￥9.531575	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7mOhm 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6300 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C
TPH3R70APL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.259885 +10：￥19.938886 +100：￥16.028476 +500：￥13.168622 +1000：￥10.911146	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPH3R70APL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.259885 +10：￥19.938886 +100：￥16.028476 +500：￥13.168622 +1000：￥10.911146	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH3R70APL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥26.755835 +10：￥22.209092 +100：￥17.662348 +250：￥16.787975 +500：￥14.916816	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7mOhm 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6300 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH3R70APL,L1Q Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 8-Pin SOP Advance T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥14.271967 +10000：￥14.130028 +15000：￥13.988087 +20000：￥13.847708 +25000：￥13.710448	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH3R70APL,L1Q TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	MOSFETs SOP8 100V 150A N-CH MOSFET 下载数据手册未分类	+5000：￥6.741756	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPH3R70APL,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.7mOhm 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	67 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6300 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	960mW（Ta），170W（Tc）
工作温度:	175°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	175°C