TK560A65Y,S4X厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	TK560A65Y,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.475537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 560 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK560A65Y,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.557853 +10：￥17.874458 +100：￥14.228183 +500：￥12.038705 +1000：￥10.214709	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 560 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

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	TK560A65Y,S4X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS 下载数据手册晶体管	+1：￥24.643755 +10：￥20.890071 +100：￥14.280322 +250：￥13.758071 +500：￥12.354518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 560 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK560A65Y,S4X Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube 下载数据手册未分类	+1：￥7.335225	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK560A65Y,S4X参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	560 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	380 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220SIS
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）