TPH1R204PL,L1Q厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH1R204PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥3.518346 +10000：￥3.386049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.24 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），132W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPH1R204PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥8.606805 +10000：￥8.283173	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.24 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），132W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C（TJ）
TPH1R204PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.418902 +10：￥19.08355 +100：￥14.884065 +500：￥12.29528 +1000：￥9.706909	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPH1R204PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.418902 +10：￥19.08355 +100：￥14.884065 +500：￥12.29528 +1000：￥9.706909	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH1R204PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥25.165807 +10：￥22.551177 +100：￥17.648747 +500：￥14.543875 +1000：￥11.488029	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.24 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），132W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH1R204PL,L1Q 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance 下载数据手册未分类	+1：￥17.234357 +10：￥15.752946 +25：￥15.242115 +100：￥13.793838 +250：￥13.258154	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPH1R204PL,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.24 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	74 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7200 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	960mW（Ta），132W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	175°C（TJ）