TPH1R712MD,L1Q厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH1R712MD,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.325961 +10：￥10.719652 +30：￥9.714343 +100：￥8.68718 +500：￥8.217307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 30A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 182 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH1R712MD,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.462312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 30A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 182 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH1R712MD,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥3.362851 +10000：￥3.236442	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 30A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 182 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPH1R712MD,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥8.226424 +10000：￥7.917195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 30A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 182 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
TPH1R712MD,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.45964 +10：￥18.248901 +100：￥14.225631 +500：￥11.752073 +1000：￥9.277967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVI 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPH1R712MD,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.45964 +10：￥18.248901 +100：￥14.225631 +500：￥11.752073 +1000：￥9.277967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVI 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH1R712MD,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥24.032453 +10：￥21.596731 +100：￥16.887669 +500：￥13.899851 +1000：￥11.675226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 30A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 182 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

TPH1R712MD,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVI
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.7 毫欧 30A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	182 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10900 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	78W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）