TN2425N8-G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2425N8-G 美国微芯(MICROCHIP) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) TN2425N8-G SOT-89-3 下载数据手册未分类	+1：￥26.600519 +10：￥22.1672 +30：￥17.73376 +100：￥14.778093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2425N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3 下载数据手册	+1：￥14.653469 +10：￥12.68656 +30：￥11.451779 +100：￥10.195143 +500：￥8.960361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2425N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥7.477363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TN2425N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥18.29161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
TN2425N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.105035 +25：￥19.851206 +100：￥18.291467	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89-3
TN2425N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.105035 +25：￥19.851206 +100：￥18.291467	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2425N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3 下载数据手册晶体管	+1：￥27.555554 +100：￥22.692809 +500：￥20.909803 +2000：￥20.909803	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2425N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+250：￥16.77174 +500：￥16.026508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	TN2425N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+25：￥17.684238 +50：￥16.437203 +100：￥13.8357 +200：￥13.106789 +1000：￥13.09047	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TN2425N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥21.293774 +10：￥14.158095 +50：￥13.251977 +100：￥11.167905 +200：￥10.556277	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TN2425N8-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	480mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-89-3
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）