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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH11006NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.833199 +6000：￥1.694738 +9000：￥1.624195 +15000：￥1.594739	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.4 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），34W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPH11006NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.484489 +6000：￥4.145779 +9000：￥3.97321 +15000：￥3.901152	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.4 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），34W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
TPH11006NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.746417 +10：￥11.122108 +100：￥7.321927 +500：￥5.684362 +1000：￥5.156253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPH11006NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.746417 +10：￥11.122108 +100：￥7.321927 +500：￥5.684362 +1000：￥5.156253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH11006NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP 下载数据手册晶体管	+1：￥10.616359 +10：￥9.424061 +100：￥6.876135 +500：￥5.896163 +1000：￥4.981522	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.4 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），34W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

TPH11006NL,LQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.4 毫欧 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta），34W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）