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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK6R7P06PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.567289 +200：￥2.622545 +500：￥2.535127 +1000：￥2.491418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TK6R7P06PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.414976 +5000：￥5.157174 +12500：￥4.919083 +25000：￥4.909656	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C
TK6R7P06PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.140023 +10：￥10.711976 +100：￥8.331062 +500：￥7.061335 +1000：￥5.752189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
TK6R7P06PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.140023 +10：￥10.711976 +100：￥8.331062 +500：￥7.061335 +1000：￥5.752189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK6R7P06PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥14.857669 +10：￥12.229007 +100：￥9.518706 +500：￥8.065592 +1000：￥6.563498	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK6R7P06PL,RQ Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥8.988038 +5000：￥8.899155 +10000：￥8.810272 +15000：￥8.721389 +20000：￥8.634067	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK6R7P06PL,RQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.7 毫欧 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1990 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	66W（Tc）
工作温度:	175°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	175°C