TSM650P03CX RFG厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.250408 +10：￥1.022465 +30：￥0.924775 +100：￥0.802935 +500：￥0.748628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 810 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

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	TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 下载数据手册未分类	+3000：￥0.660852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 810 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
	TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.678947 +6000：￥0.661698 +9000：￥0.644335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 810 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.703091 +6000：￥0.673849 +9000：￥0.606482 +30000：￥0.59748 +75000：￥0.56159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 810 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.719944 +6000：￥1.648412 +9000：￥1.483615 +30000：￥1.461594 +75000：￥1.373797	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 810 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.332849 +10：￥4.951137 +100：￥2.967803 +500：￥2.747307 +1000：￥1.868336	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.332849 +10：￥4.951137 +100：￥2.967803 +500：￥2.747307 +1000：￥1.868336	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

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	TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥7.239366 +10：￥5.659868 +100：￥4.063918 +3000：￥4.063918 +24000：￥1.661764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 810 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

TSM650P03CX RFG参数规格

属性	参数值
品牌:	Taiwan Semiconductor Corporation
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	65 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	810 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.56W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）